目  錄

半導體激光器激光器2

激光器小信號頻響24

DFB激光器等效電路模型26

FP，DFB，DBR的區別30

【5G光模塊】——FP激光器的模式分配噪聲35

DFB雙峰對光通信系統的影響37

DFB激光器雙峰40

DFB直調激光器的發展方向41

相干光模塊中的窄線寬激光器46

用于突發模式下一代PON的MEL激光器雙電級DFB47

非制冷DWDM激光器50

FP和DBR的區別53

DFB的發展史58

DFB的光柵60

雙腔DFB激光器62

區分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65

激光器發散角優化結構69

為什么激光器的BH結構需要多次外延71

背光74

為什么不能“輕易”把GPON ONU的DFB激光器換成

便宜的FP76

區分DFB，DML，EML80DBR激光器82

DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵83

多縱模激光器的傳輸距離87

單縱模激光器的傳輸距離89

FP與DFB的波長溫度漂移91

區分電光效應、光電效應與電致發光效應94

相干通信歷程、可調諧光源標準發展史97

可調諧激光器102

外腔激光器104

DML的啁啾與補償激光器的啁啾、展寬與色散108

啁啾110

直調激光器啁啾管理的幾個方案113

啁啾光柵與色散補償115

利用微環做DML的啁啾管理117

直調激光器的傳輸并不是距離越長TDP就一定越大121

PT對稱光柵122

Avago的高速VCSEL124

MEMS VCSEL128

比VCSEL小100倍的BICSEL130

Finisar VCSEL 用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/s

PAM4信號134

超薄激光器135

鈮酸鋰調制器電光調制器140

鈮酸鋰調制器141

為何鈮酸鋰調制器那么長146

鈮酸鋰薄膜制備148

電吸收調制器EAM電吸收調制器等效模型154

為何探測器和電吸收調制器，加反電壓，而不是正電壓157

電吸收調制器的吸收波長紅移159

非制冷單波100Gb/s EML164

EML更容易實現更大的消光比167

電吸收調制激光器EML169

為什么EML要加一個TEC171

調制器熱光調制176

PN結載流子耗盡型硅基調制器178

光調制器的載流子耗盡型與注入型的區別181

光探測器探測器186

探測器響應度與光模塊靈敏度之間的關系196

幾種探測器的結構198

垂直型與波導型PIN202

平衡探測器204

探測器速率與結電容207

探測器結構與響應度、靈敏度211

探測器材料與截止波長214

探測器材料之Si，GeSi，GaAs217

探測器響應度下降原因218APD的蓋革模式220

APD蓋革模式的應用223

光電二極管臺面結構225