《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程，內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態系統的其他方面，如極紫外光刻工藝特點和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對技術發展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內容。最后本書還討論了滿足未來的芯片工藝節點要求的極紫外光刻技術發展方向。
目 錄
第1章 緒論
1.1 光刻技術的歷史背景/1
1.2 光刻技術的組成部分 /3
1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4
1.4 一般性問題 /11
習題/12
參考文獻/12
第2章 EUV光源
2.1 激光等離子體光源/15
2.2 放電等離子體光源/28
2.3 自由電子激光器/32
習題/36
參考文獻/36
第3章 EUV光刻曝光系統
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系統 /45
3.3 投影系統/47
3.4 對準系統/52
3.5 工件臺系統/53
3.6 聚焦系統 /54
習題/55
參考文獻/56
第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模結構/60
4.2 多層膜和掩模基板缺陷/66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模制作/74
4.5 EUV掩模保護膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構/85
習題/88
參考文獻/88
第5章 EUV光刻膠
5.1 EUV化學放大光刻膠的曝光機制/95
5.2 EUV光刻中的隨機效應/98
5.3 化學放大光刻膠的新概念/108
5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110
5.5 斷裂式光刻膠/111
5.6 真空沉積光刻膠/111
5.7 光刻膠襯底材料/113
習題/114
參考文獻/115
第6章 EUV計算光刻
6.1 傳統光學鄰近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三維效應/125
6.3 光刻膠的物理機理/133
6.4 EUV光刻的成像優化/135
習題/138
參考文獻/139
第7章 EUV光刻工藝控制
7.1 套刻/144
7.2 關鍵尺寸控制/149
7.3 良率 / 151
習題/155
參考文獻/156
第8章 EUV光刻的量測
8.1 掩模基板缺陷檢測/160
8.2 EUV掩模測評工具/163
8.3 量產掩模驗收工具/165
8.4 材料測試工具/168
習題/169
參考文獻/170
第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圓成本 /173
9.2 掩模成本/181
習題/182
參考文獻/182
第10章 未來的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的數值孔徑/186
10.3 更短的波長/193
10.4 EUV多重成形技術/194
10.5 EUV光刻的未來/195
習題/195
參考文獻/196
索 引
