《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術(shù)的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術(shù)的各個方面及其發(fā)展歷程，內(nèi)容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他方面，如極紫外光刻工藝特點(diǎn)和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對技術(shù)發(fā)展路徑有著重要影響的極紫外光...
《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術(shù)的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術(shù)的各個方面及其發(fā)展歷程，內(nèi)容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統(tǒng)、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計(jì)算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態(tài)系統(tǒng)的其他方面，如極紫外光刻工藝特點(diǎn)和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對技術(shù)發(fā)展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內(nèi)容。最后本書還討論了滿足未來的芯片工藝節(jié)點(diǎn)要求的極紫外光刻技術(shù)發(fā)展方向。
目 錄
第1章 緒論
1.1 光刻技術(shù)的歷史背景/1
1.2 光刻技術(shù)的組成部分 /3
1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4
1.4 一般性問題 /11
習(xí)題/12
參考文獻(xiàn)/12
第2章 EUV光源
2.1 激光等離子體光源/15
2.2 放電等離子體光源/28
2.3 自由電子激光器/32
習(xí)題/36
參考文獻(xiàn)/36
第3章 EUV光刻曝光系統(tǒng)
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系統(tǒng) /45
3.3 投影系統(tǒng)/47
3.4 對準(zhǔn)系統(tǒng)/52
3.5 工件臺系統(tǒng)/53
3.6 聚焦系統(tǒng) /54
習(xí)題/55
參考文獻(xiàn)/56
第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模結(jié)構(gòu)/60
4.2 多層膜和掩模基板缺陷/66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模制作/74
4.5 EUV掩模保護(hù)膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構(gòu)/85
習(xí)題/88
參考文獻(xiàn)/88
第5章 EUV光刻膠
5.1 EUV化學(xué)放大光刻膠的曝光機(jī)制/95
5.2 EUV光刻中的隨機(jī)效應(yīng)/98
5.3 化學(xué)放大光刻膠的新概念/108
5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110
5.5 斷裂式光刻膠/111
5.6 真空沉積光刻膠/111
5.7 光刻膠襯底材料/113
習(xí)題/114
參考文獻(xiàn)/115
第6章 EUV計(jì)算光刻
6.1 傳統(tǒng)光學(xué)鄰近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三維效應(yīng)/125
6.3 光刻膠的物理機(jī)理/133
6.4 EUV光刻的成像優(yōu)化/135
習(xí)題/138
參考文獻(xiàn)/139
第7章 EUV光刻工藝控制
7.1 套刻/144
7.2 關(guān)鍵尺寸控制/149
7.3 良率 / 151
習(xí)題/155
參考文獻(xiàn)/156
第8章 EUV光刻的量測
8.1 掩模基板缺陷檢測/160
8.2 EUV掩模測評工具/163
8.3 量產(chǎn)掩模驗(yàn)收工具/165
8.4 材料測試工具/168
習(xí)題/169
參考文獻(xiàn)/170
第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圓成本 /173
9.2 掩模成本/181
習(xí)題/182
參考文獻(xiàn)/182
第10章 未來的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的數(shù)值孔徑/186
10.3 更短的波長/193
10.4 EUV多重成形技術(shù)/194
10.5 EUV光刻的未來/195
習(xí)題/195
參考文獻(xiàn)/196
索 引
